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衡量絕緣子污穢程度有等值鹽密、污層電導(dǎo)率、表面電導(dǎo)率、泄漏電流、污閃電壓與污閃梯度等方法。本文選擇了測量絕緣子等值鹽密來衡量絕緣子污穢程度，其原因如下。
a． 污層電導(dǎo)率定義為絕緣單位表面污層的電導(dǎo)值，實際上是由加在污層上的電流與電壓之比求出的電導(dǎo)與絕緣子的形狀系數(shù)相乘求得。為測量污層表面電導(dǎo)，應(yīng)在污層飽和受潮條件下，在絕緣子上加適當(dāng)高的工頻電壓，測其泄漏電流，從而求得電導(dǎo)G=I／U，但上述測量分散性較大，受污穢分布不均勻的影響也較大。另外，測量時要用容量較大的電源，測量比較麻煩。
b．從物理意義上講，污層的局部表面電導(dǎo)率和表面電導(dǎo)率是同一參數(shù)，其物理意義相同，差別僅在于測量方法。測量方法雖然與等值鹽密相同，但電導(dǎo)率受溫度變化影響較大。
c．泄漏電流試驗作為表示污穢度的參數(shù)較多：運行電壓下泄漏電流的最大脈沖幅值；超過一定幅值的泄漏電流脈沖數(shù)；臨閃前最大泄漏電流值。測量這些參數(shù)需要對絕緣子施加一定電壓，現(xiàn)場試驗不方便。
d． 污閃電壓及污閃梯度是表征絕緣子性能的最直接最理想的污穢參數(shù)，現(xiàn)場污穢試驗還能真實地測得絕緣子污閃性能，但由于自然污穢和積污水平達(dá)到臨界狀態(tài)與引起污閃的氣象條件的產(chǎn)生不一定同時存在，往往是污穢已經(jīng)達(dá)到臨界水平但沒有出現(xiàn)充分的潮濕條件而測量不到臨界污閃電壓，因而進(jìn)行閃絡(luò)電壓的測量還應(yīng)結(jié)合其他污穢度參數(shù)的測量。試驗設(shè)備容量大，試驗不方便，現(xiàn)場不具備
條件。
e． 絕緣子等值鹽密(外絕緣的單位表面積上的等值鹽量)測量方法是用一定量的蒸餾水，將一定面積瓷表面上的污穢物全部清洗掉，用等值鹽密度測試儀測量污穢溶液的鹽密值ESDD。YM3200直讀式鹽密儀可以直接測量讀取ESDD值。等值鹽密可直觀衡量污穢程度，不受溫度、電壓、試驗設(shè)備容量和試驗場地的限制。
就現(xiàn)有技術(shù)、設(shè)備和操作的可行性等來看，現(xiàn)場一般采取測量絕緣子等值鹽密衡量絕緣子污穢程度。等值鹽密是對絕緣子污閃的客觀反映，是判斷絕緣性能的判據(jù)之一，可直觀衡量污穢程度，不受溫度、電壓、試驗設(shè)備容量和試驗場地的
限制，而且便于現(xiàn)場操作。
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