引 言
功率場效應(yīng)管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關(guān)斷能力，而且具有驅(qū)動功率小，關(guān)斷速度快等優(yōu)點，是目前開關(guān)電源中常用的開關(guān)器件。采用MOSFET 控制的開關(guān)電源具有體積小、重量輕、效率高、成本低的優(yōu)勢，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續(xù)可調(diào)(0～45V) 的小功率穩(wěn)壓電源設(shè)計實例。
總體結(jié)構(gòu)與主電路
圖1 為該電源的總體結(jié)構(gòu)框圖。工作原理如下：
圖1 原理方框圖
全橋整流電路將電網(wǎng)電壓220V 整流成不可調(diào)的直流電壓Ud = 1. 2U約等于198V。兩個等值濾波電容上的電壓分別為99V 以上，經(jīng)DC/AC 變換器逆變之后輸出20kHz、脈寬可調(diào)的交流電壓，又經(jīng)高頻變壓器的兩個副邊分正負半周送入整流濾波電路，輸出直流電壓。該電源直流輸出電壓的大小靠 PWM發(fā)生器的輸出脈沖寬度來控制。
主電路如圖2 所示。
圖2 主電路
圖3 TL494 內(nèi)部電路及外圍電路
誤差放大器1 的反相端(引腳2) 接可調(diào)給定電壓Ug 。改變Ug ，可改變引腳3 的電壓值，從而改變PWM比較器2 輸出波形的寬度，實現(xiàn)U0 從0～45V連續(xù)可調(diào)。
(2) 死區(qū)時間的控制
為了保證開關(guān)器件VT1 與VT2 在一只管子關(guān)斷另一只管子開通時有足夠的時間間隔，防止功率開關(guān)元件上下直通造成的直流側(cè)短路，該電路用引腳4 控制兩個開關(guān)器件的死區(qū)時間。由內(nèi)部基準源引腳14 串聯(lián)電容器C5 提供死區(qū)電壓參考數(shù)值，并通過R5 接地來共同決定死區(qū)時間最小值Toff (min) 。
另外，在輸入電源剛接通時，R5 與C5 又構(gòu)成軟起動器。由于電容上的電壓不能突變，所以起動瞬間，死區(qū)控制端4 與內(nèi)部基準電壓14 端等電位，為高電平，死區(qū)比較器1 也輸出高電平，封鎖輸出端的兩個晶體管；隨著電容電壓的不斷上升，4 端電位逐漸降低，這兩個晶體管才逐漸開通，使得該電源的輸出電壓不會突變，實現(xiàn)軟起動。正常工作時，R5 上的電壓約為0。這時主電路開關(guān)元件的導(dǎo)通時間(它決定正常工作時的輸出電壓值) 將由接入誤差放大器1 反相端的給定電壓Ug 和接入同相端的反饋電壓Uf 比較確定。
隔離、驅(qū)動電路
VT1 、VT2 采用專用集成驅(qū)動模塊IR2110 來驅(qū)動，隔離驅(qū)動電路如圖5 所示：
圖5 IR2110 驅(qū)動模塊及外部接線電路
過壓過流保護
為改變負載曲線，保護MOSFET的安全運行，防止過電壓和減小du/dt ，在MOSFET 的D1 - S1 間并入電阻、快速二
極管和電容組成的過電壓吸收電路。過流信號從主電路檢出，從引腳16 送向誤差放大器2的同相端，引腳15 為比較基準，當(dāng)出現(xiàn)過流時，引腳16 的電壓上升，則比較器2的輸出引腳3為高電平，封鎖脈寬信號。
結(jié)束語
該電源盡量采用在工業(yè)環(huán)境下具有高可靠性的常用集成電路及功率模塊，以易實現(xiàn)、易維修為出發(fā)點，以實用性為宗旨。經(jīng)過實驗驗證，本電路抗干擾能力強，輸出電壓穩(wěn)定，工作可靠，輸出電流可達15A ，較適合于做儀器和裝置的直流供電電源，有較好的推廣價值。
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