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電器工業(yè)近20年來，真空斷路器有了很大的發(fā)展，這得益于真空斷路器技術(shù)的進(jìn)步。真空斷路器技術(shù)的進(jìn)步表現(xiàn)在大容量化、低過電壓化、智能化和小型化。而這一進(jìn)步又是由于真空技術(shù)、滅弧室技術(shù)的發(fā)展及采用新工藝、新材料及新操動技術(shù)的結(jié)果。
據(jù)發(fā)明者介紹，這種技術(shù)除了可以作為傳統(tǒng)電機技術(shù)的替代技術(shù)以外，還將為直流電機拓展更為廣闊的發(fā)展和應(yīng)用空間。如開發(fā)大容量直流電機代替高壓直流輸電網(wǎng)供電的交流同步發(fā)電機和換流站設(shè)備，不僅可以節(jié)省大量換流站的建設(shè)費用，還可大幅度降低變電損耗。
1、大容量化
真空斷路器的容量已有很大的提高，完全能滿足電力發(fā)展的需要。目前，真空斷路器的額定電流已達(dá)4000A，額定短路開斷電流已高達(dá)12kV下63～70kA。東芝公司在實驗室試制200kA。
真空斷路器邁向大容量化，首先是由于觸頭結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。觸頭結(jié)構(gòu)的改進(jìn)經(jīng)歷了平板觸頭——橫磁場觸頭——縱磁場觸頭。平板觸頭的開斷電流在8kA以下，橫磁場觸頭將開斷電流提高到40kA，而縱磁場觸頭又將開斷電流大大提高，達(dá)到目前的63～80kA�？v磁場觸頭有兩種結(jié)構(gòu)型式;一種是用裝在滅弧室外圍的線圈產(chǎn)生縱磁場，另一種是觸頭本身的特殊結(jié)構(gòu)產(chǎn)生縱磁�？v磁場時，電弧呈擴散形態(tài)分成許多細(xì)弧，均勻分布在整個觸頭表面。有利于提高開斷電流和延長觸頭壽命。
觸頭材料還在不斷發(fā)展，在CuBi和CuCr之后又出現(xiàn)了更好的CuTa等材料。
總之，一次封排工藝將焊接、除氣、封裝、排氣等工藝步驟在真空爐中一次完成，大大簡化了制造工藝，提高了產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性和一致性。國內(nèi)寶光集團(tuán)現(xiàn)已具備年產(chǎn)5萬只一次封排真空滅弧室能力。
4、縮小滅弧室管徑，減少零件數(shù)和提高可靠性縮小滅弧室管徑，減少零件數(shù)，就能降低造價，因為材料費占滅弧室造價的40～50%。
由于縱磁場觸頭和CuCr觸頭材料的使用，大大減少了滅弧室管徑。
真空滅弧室尺寸的減小是真空技術(shù)、真空工藝、真空滅弧室設(shè)計發(fā)展的主要結(jié)果。而真空滅弧室管徑的縮小，結(jié)果使真空斷路器的整體尺寸大大減小，從而使真空斷路器趨于小型化。
機電一體化用在開關(guān)設(shè)備上，把計算機加入機械系統(tǒng)，使開關(guān)系統(tǒng)有了“大腦”，再加入“傳感器”采集信息，用光纖傳導(dǎo)信息，使開關(guān)系統(tǒng)有了“知覺”，大腦根據(jù)知覺作出判斷與決定，使系統(tǒng)有了“智能”。因此現(xiàn)代二次技術(shù)使之開關(guān)設(shè)備智能化。
在斷路器二次現(xiàn)代化方面各大公司都作出了努力，歐洲幾家公司卓有成效。1996年AEG T&D公司在漢諾威博覽會上展出了DPI型真空斷路器。裝在側(cè)面操動機構(gòu)內(nèi)有集成保護(hù)裝置，其中包括一只微處理器和一只低能量脫扣器。ABB Calor Emag公司最新開發(fā)出REC580型保護(hù)與控制裝置，它屬于模塊式結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)裝置相比，這種現(xiàn)代控制和保護(hù)裝置擴大了功能，并降低費用約25%。西門子公司于1985年開發(fā)出第一個以微處理器為中心的數(shù)字保護(hù)裝置，1990年開發(fā)出第二代產(chǎn)品。
真空斷路器之所以為眾多廠家青睞，除產(chǎn)量大、覆蓋面廣之外，首要原因是由于真空技術(shù)、真空工藝、滅弧室制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，使真空斷路器具有優(yōu)異的電性能和機械性能，能滿足不同用戶的不同要求。另一個重要原因，是它對環(huán)境友好，在人們普遍注重環(huán)保的今天，這點尤為重要。
在真空斷路器中，不產(chǎn)生分解物，因為在這里開斷時只產(chǎn)生金屬蒸汽。真空滅弧室絕對密封釬焊，不會與環(huán)境相互影響。污穢、灰塵及潮氣均不能進(jìn)入滅弧室，這就避免了任何的氧化。滅弧室的所有材料均以潔凈的狀態(tài)保持在整個壽命期間。
真空滅弧室對外部作用具有良好的保護(hù)性。其殼體主要由氧化鋁陶瓷制作。由于它經(jīng)受了高溫預(yù)處理，不受溫度變化的影響。
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