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壓力敏感元件是壓力傳感器、壓力變送器的核心元件。壓力能以各種方法測量，但關鍵的基本原理歸結為兩類：
1．惠斯登電橋
配置于彈性膜片上的電橋電阻，在壓力作用下發(fā)生形變，有的被拉伸，有的則被壓縮。電阻尺寸的變化引起電阻值的變化。因此電橋產生差動輸出信號，其值正比于施加的壓力。 惠斯登電橋可由金屬電阻或壓阻材料構成，壓阻電橋由于晶格摻雜效應以及機械變形，能提供較大輸出信號。 金屬電阻可采用多種技術將電橋固定于膜片之上。諸如粘接，硅/陶瓷融合，直接分子鍵合。
密封和充油隔離腔體由于熱膨脹系數(shù)不同而引起不希望有的熱穩(wěn)定性問題。在工作溫區(qū)內的溫度非線性是一個大問題，工作溫區(qū)的高端和低端因此受到限制。并且存在充油腔漏油的潛在可能，這也是不希望有的。
金屬電阻的粘接或硅/陶瓷融合。無可避免的從原理上存在不穩(wěn)定現(xiàn)象。滄正傳感的壓力變送器敏感元件采用濺射工藝，在壓力介質直接作用的17-4PH不銹鋼膜片上，以分子鍵合的方式制作出“微米”級的電阻膜。再經(jīng)過微電子工藝制作出需要的惠斯登電橋，組成全金屬型敏感元件，無任何粘貼劑和活動件，無需密封腔和充油腔，因此具有適用惡劣環(huán)境和長期穩(wěn)定性工作的特點。
2．電容式
測量兩片導電板的電容值，在壓力作用下，導電板被迫擠合，使 電容值隨壓力的變化而變化。電容式壓力傳感元件采用MEMS技術由陶瓷構成，或將金屬嵌入半導體層中。傳感元件固定于金屬/玻璃密封體或裝入充油腔中。
所有的壓阻和硅技術都存在因摻雜物質遷移和費米能級效應而引起漂移傾向。這些影響隨著溫度的升高而增大。
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